信息技术论文-超分辨光存储多维读出方法的研究
当今社会是一个飞速发展的信息社会,在各行各业中,人们对于信息传输的速度和信息存储的容量的要求越来越高。目前,磁盘存储已经达到技术瓶颈,存储密度难以突破1TB/in2,并且存储稳定性不高,逐渐不能满足人们的需要。半导体存储受半导体加工工艺的限制,继续发展的难度和成本都较高。光盘存储由于其低成本、低能耗、易于保存、寿命长等优点,在大数据存储领域具有一定优势。但是,由于“衍射极限”的存在,极大地限制了光存储的存储容量。同时,光存储的单比特读出方式也制约了其应用空间。目前,伴随着超分辨显微成像技术和多路复用技术在光存储领域中的应用,光存储的存储容量得到了显著提高。
因此,该课题拟在将测量薄膜厚度的光学方法应用于光存储读出中,增加单次读出的光学信息量,提高光存储读出速率。该读出方法的关键点在于,伴随着单次读出的信息量增加,需要对相应的光学信号解码得到多个信息。目前,干涉辅助光谱拟合方法是通过测量由于光程差引起的干涉现象,并通过光谱测量表征,精确确定薄膜厚度。将该技术进行优化改进并应用于光存储领域,有着非常广阔的应用前景。
本文研究了一种利用干涉辅助光谱拟合的多维光存储信息读出方法,成功地同时读出了2比特和3比特的光学信息,将光存储读出速率提高了2-3倍。本文详细介绍了用于该实验的多层介质膜光盘,包括利用传输矩阵法设计光盘结构、光盘对待测薄膜厚度的灵敏度、多比特光存储读出理论等。然后介绍了超分辨光存储多维读出系统的设计、搭建,包括系统的设计思路、光路的搭建、光斑的调节,以及超连续光谱的产生。之后介绍了超分辨光存储多维读出实验结果,并将实验结果与模拟结果对照解码,成功读出所写入的光学信息,证明该读出方法也适用于超分辨光存储。最后本文对目前的工作进展进行了总结,并提出下一步的发展方向。
但是,随着每个存储单元中信息数量的增加,在读出时所需要同时区分的光谱数量也在成倍增加。这就需要设计出干涉效果更加良好的光盘结构,以及精度更高的测量设备。同时,受限于实验室现有的精度较低的光存储信息写入方法,因此,本文仅仅进行了演示性实验,验证了该读出方法的可行性。在下一步的实验中,需要针对超分辨光存储记录点进行二进制编码,确保可以让读出信号互不干扰,降低误码率,优化现有的读出方法。此外,由于本文使用的读出方法是进行光谱测量,在一个存储单元中的不同信息记录点的位置信息被忽略了。如果能以成像的方式进行信息读出,就可以增加光学信息的位置这一维度,不仅可以实现同时读出多个比特的光学信息,还可以进一步增加光存储的容量。
当今社会是一个飞速发展的信息社会,在人们的生活、学习、工作、娱乐各个方面,对于信息传输速度和信息存储容量的要求越来越高。目前主要的存储方式可以分为磁存储,半导体存储和光存储。磁盘存储是利用磁性介质作为存储媒介,利用通入一定大小和方向电流的磁芯移动扫描磁性介质,实现信息的读写[1-2],其内部结构如图1-1所示。由于磁盘具有存储容量大、读写速度快以及性价比高等优点,迅速在信息存储领域占据了一席之地[3]。磁盘存储的存储密度受磁芯大小的限制,目前只能达到1TB/in2。近年来研究人员提出,将热辅助磁记录和二维存储技术或点阵式磁记录技术相结合,理论上可以将存储密度分别提高到5TB/in2和10TB/in2 [4]。除了存储密度已经达到极限外,由于磁盘是磁存储,容易在外力或温度的影响下发生消磁现象,导致存储信息不稳定。目前,主要通过廉价磁盘冗余阵列来提高磁盘的稳定性,同时还可以提高读写速率[5]。但是,与半导体存储和光存储相比,磁盘存储的稳定性仍然有待提高。
为克服磁盘存储带来的不便,上世纪六十年代,一种没有机械结构的存储器——半导体存储芯片问世[3],由于其存储密度高、读写速度快以及轻巧便携的优势迅速被应用于计算机存储领域,冲击了磁盘存储的市场。根据半导体存储器的功能可以将其分为两类。第一类是只读存储器(Read-Only Memory,ROM),它所存储的信息在生产过程中就已经确定,用户只能读取,而不能进行自主编辑。为了方便用户使用,后来出现了如可编程只读存储器(Programmable ROM, PROM),用户可以编程一次、电编程存储器(Erasable Programmable ROM, EPROM),用户可以擦除并重写存储信息[6]等允许用户自主编辑的ROM。另一类半导体存储器是随机存取存储器(Random-Access Memory, RAM)。这是一种利用晶体管中的电容带电与否来表示二进制编码“0”和“1”的存储器。最初的RAM分为动态RAM(Dynamic RAM, DRAM)和静态RAM(Static RAM, SRAM)。DRAM具有易失性,即使用时需要保持通电状态,否则存储内容会丢失,SRAM则可以在断电条件下保存数据,其读写速度更快,但是电路结构复杂,价格较高[3]。近年来,RAM一直朝着非易失性的方向不断发展,并取得了一定的成功。目前主要的非易失性RAM包括磁RAM(Magnetic RAM, MRAM),通过磁场极化而不是电荷来存储数据。由于材料的磁性不会因为断电而消失,因此MRAM具有非易失性。理论上由于磁体的磁性是永久存在的,因此其读写次数也是无限的[7]。相变RAM(Phase-change RAM)由含有硫化物的玻璃制成[8]。该玻璃会因为温度变化而形成晶体或非晶体,从而影响其电阻值,由此来存储不同的信息。该技术复杂性高,很多研究组仍然在研究中。半导体存储的容量与晶体管的尺寸及集成度息息相关,受半导体加工工艺的限制,要有进一步的突破面临着巨大的技术难度和成本压力。
光存储是二十世纪七十年代出现的一种存储技术[9-12]。这是一种以光盘作为存储器,以光信号作为存储介质,利用激光原理进行光学信息的读写。光存储是通过在光盘表面的信息记录层上进行光化学反应,产生若干光学信息记录点。信息读出过程中,将读出光束聚焦照射并扫描光盘表面,有无光学信息记录点处所产生的反射光信息是不同的,因此,可以将其规定为二进制编码“0”和“1”,实现光学信息的读写。
光盘的发展是不断减小读写波长和提高光学信息存储密度的过程。根据光盘所使用的读写波长及信息存储密度,可以将其分为三类,分别是小型镭射光盘(Compact Disk, CD)、高密度数字视频光盘(Digital Versatile Disk, DVD)和蓝光光盘(Blu-Ray Disc, BD)。CD最早出现于1982年,当时的人们主要用它来发行音乐。1985年,人们首次使用CD-ROM存储数字信息,这正式标志着光盘不仅仅是一种音乐唱片,还是一种通用数字存储器。当时的CD光盘盘面直径为120mm,单面存储容量为650MB,数字传输速率为1.2Mbps。1995年,DVD光盘诞生。与CD类似,DVD也是从视频存储器开始,推广成为数字信息存储器。同样大小的DVD光盘单面存储容量为4.7GB,数字传输速率为11.08Mbps,与CD相比已经得到了明显的提升。2002年,Blu-ray Disc问世。其单面存储容量可以达到25GB,数字传输速率最大可达36Mbps。图1-3为CD、DVD和BD的表面结构及其读出过程的示意图。其详细参数见表1-1。根据表1-1可知,光盘所用的读写波长不断减小,从最初的红光到现在的蓝光,波长减小了近一半,这直接导致了读写光斑的尺寸也得到相应的减小。同时,读写过程所用物镜的数值孔径(Numerical Aperture, NA),使得光束聚焦得到的光斑更小。这样就可以获得更小的光学信息记录点的尺寸及点间距,提高光盘的存储容量。